村田电容商标辨别-村田电容商标

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【动态】莫大康:决战3纳米;疫情严峻MLCC日厂供应链恐受影响;村田电容计划增产10%,供应链恐受疫情影响;

集微网

2月5日

1.恩智浦公布2019全年财报,预计2020年终端市场需求将回暖;

2.武汉肺炎疫情严峻,MLCC日厂供应链恐受影响;

3.村田电容订单大增,计划增产10%,但供应链恐受疫情影响;

4.莫大康:决战3纳米;

5.英特尔CEO:10nm服务器处理器将在今年四季度推出;

6.SIA:2019年全球半导体销售额为4,120亿美元,下降12%;

1.恩智浦公布2019全年财报,预计2020年终端市场需求将回暖;

集微网消息(文/holly),据科创板日报报道,恩智浦半导体于昨(2)日公布了第四季度及全年财报。

据财报显示,第四季度,恩智浦半导体营收同比下降4%至23亿美元,略高于市场预估的22.8亿美元。第四季度净利润同比降59%至1.14亿美元,远低于市场预期的7.6亿美元。2019年全年而言,营收同比下降6%至88.77亿美元,市场预期88.6亿美元,去年同期94亿美元。全年净利润2.43亿美元,市场预期21.5亿美元,去年同期22亿美元。

恩智浦CEO Richard Clemmer表示,公司全年营收下降主要是因为半导体行业不景气,但预计2020年终端市场需求将回暖;“尽管2019年处境艰难,恩智浦的盈利能力仍然得到改善,自由现金流依然强劲,并且在继续有效执行供公司战略;2019年我们通过股息发放和回购向股东回馈了17.6亿美元,同时完成了对Marvell无线连接资产的收购,并推出了新产品,预计未来将帮助恩智浦实现长期增长。”

此外,恩智浦还发布了2020年Q1业绩指引,预计第一季度营收22亿美元至22.6亿美元,市场预估21.7亿美元。预计第一季度经调整毛利率52.9%至53.5%,市场预估53.8%。

据悉,恩智浦半导体前身为飞利浦的分支,专门研发半导体,80年代飞利浦凭借恩智浦成为当时世界上最大的半导体生产厂商。2006年,飞利浦将旗下半导体分支出售给由多个荷兰投资者组成的财团——KASLION Acquisition B.V,从而恩智浦从飞利浦分离出去。目前,NXP可以提供半导体、系统解决方案和软件,使用在电视、机顶盒、智能识别应用、手机、汽车以及其他电子设备上。(校对/ Jurnan )

2.武汉肺炎疫情严峻,MLCC日厂供应链恐受影响;

集微网消息(文/小山)据日经新闻报道,随着武汉新冠肺炎疫情日益严峻,日本MLCC大厂村田制作所(Murata)表示,该疫情可能会对供应链产生负面影响,公司对此维持警戒。

根据村田制作所公布的截至去年12月31日的2019会计年度第3季财报,该公司当季营收4102亿日元,较上一年同期减少4.1%;营业利润达795亿日元,较上一年同期下滑7.2%;净利润561亿日元,同比减少6.8%。

而今年以来,武汉新冠肺炎疫情对各大厂商运营都产生了相当的影响。截至2月3日24时,全国新型冠状病毒感染的肺炎确诊病例已突破两万例,且这一数字仍处于爬坡状态。

不仅如此,村田制作所还指出,在中国扩大的新型冠状病毒的疫情发展,可能会影响到供应链。目前地方政府对企业都有所指示,而未来各省有可能将采取更严厉的措施。 (校对/ Jurnan )

3.村田电容订单大增,计划增产10%,但供应链恐受疫情影响;

集微网消息(文/Yuna)据财经新报报道,当地时间2月3日,村田制作所公布的第三财季财报显示,第三财季村田电容订单大幅增加,2021年度计划增产10%。但受肺炎疫情影响,村田担心位于中国的工厂延期开工将对供应链造成影响。

报告显示,村田上个财季营业利润为795亿日元,同比下降7.2%,但仍优于市场预期的720.9 亿日元。营收为4102亿日元,同比下降4.1%,原因为受库存调整影响导致代理商电容销售不振,以及智能手机用树脂多层基板MetroCirc和锂离子电池销售的减少。

从各部门来看,上个财季电容部门(以MLCC 为主)销售额较2019 年同期下滑7.9% ,为1457 亿日元;压电产品部门(包含表面波滤波器、陶瓷滤波器等)销售额增长4.9% ,为336 亿日元;其他零组件部门(包含锂离子电池、电感、连接器、感测器等)销售额下滑6.5% 至928 亿日元;模组部门销售额下滑0.1% 至1370 亿日元。

值得一提的是,村田指出,上财季获得订单金额较2019 年同期有较大增长,增长了8.8% 至4131 亿日元。其中,电容订单额增幅最大,占整体比重37.8%,增长了24.7% 至1562 亿日元。村田制作所董事南出雅范称,为了应对订单增加,电容产能计划2021 年度(2020 年4 月起的会计年度)将扩增10%。

此外,据日媒报道,南出雅范于3 日举行的财报说明会表示,中国武汉肺炎疫情扩大,可能将对供应链带来重大影响。据悉,村田位于中国的所有工厂也依据当局指示,停工至2 月9 日,未来各省还有可能将采取更严厉的措施。(校对/ Jurnan )

4.莫大康:决战3纳米;

莫大康

2020年2月4日

沿着摩尔定律,半导体的工艺尺寸缩小仍在持续,突出的矛盾是由于研发与量产的费用高耸,能跟进的厂家数量越来越少,以及未来的每两年前进一个工艺制程节点,会从每两年推迟到三年,甚至更长。从尺寸缩小角度,定律可能尚有十年左右的时间。

芯片巨头英特尔的10纳米工艺制程一再的“跳票”,表征芯片技术层面追求完美,十分的不易,引起业界的反思。

3纳米坎

全球半导体从工艺制程角度,仅剩下三家在比拼,英特尔的路径可能有些起伏,导致只剩下两家,分别是台积电与三星,观察总的趋势台积电获得了更大的市场份额,暂时走在前列。

台积电从2018 Q3开始7纳米量产,并占季销售额的10%,估计累积投资达250-300亿美元,月产能约为100,000片。业界统计它的7纳米市占率近100%。

台积电的5纳米投资250亿美元,月产能50,000片,之后再扩充至70,000-80,000片。在2020年3月开始试产。同时2020的上半年它的6纳米进行风险生产,并将在2020年底进入量产。据台积电自述,预测2020年它的7纳米收入占比能达到30%,及5纳米的收入占比达10%。

台积电的3纳米计划,将于2020年开始建厂,2021年完成设备安装,并于2022年开始试产,及2023年正式量产,3纳米工厂的投资为200亿美元。

对于3纳米工艺技术路径,目前仅三星公布将采用GAA环栅的纳米片(Nanosheet)FET结构,而台积电是密而不宣,估计今年4月时才能公开。

因为从2011年英特尔推出3D finFET结构以来,延伸定律至14纳米,10纳米,至7纳米,一路平稳前行。而从7纳米始工艺路线开始分岐。三星首先釆用EUV技术进入7纳米,试图扳倒台积电,但是“人算不如天算”,台积电仍坚持采用多次曝光技术先占领市场,它的策略奏效,取得几乎100%的7纳米市场。

进入5纳米,台积电也必须釆用EUV技术。但是市场预测5纳米可能与10纳米相同是个过渡节点,未来将迅速移向3纳米,但是在3纳米时现在的finFET架构已不再适用,导致市场开始“百花争艳”。

三星电子计划利用EUV工艺,提高在7纳米以下的市场份额。它的3纳米级技术计划首先应用在它的晶圆代工之中。三星计划2020年下半年在全球最先实现3纳米级芯片的批量生产。

三星电子将在最新的3纳米工程中使用新一代的工艺,称为“环栅架构GAA”。三星电子的半导体部门表示,基于GAA工艺的3纳米芯片面积可以比最近完成开发的5纳米产品面积缩小35%以上,耗电量减少50%,处理速度可提高30%左右。

3纳米制程是个坎,原因是之前釆用的finFET架构已经不再适用,需要釆用新的架构,统称为“GAA,环栅”,实际上它有多个选项,包括如Nanosheet,Forksheet及CFET等,因此尚需等样品产出经过测试后才能作出定论。这也是为什么台积电迟迟不愿公布它的3纳米架构的原因,一切可能尚在权衡之中。

业界预计3纳米是个与7纳米同样,长寿命节点,新的架构将影响下一步的2纳米,甚至1纳米工艺。

IBS的琼斯说,GAA在一定程度上提供了更佳的性能,与3nm的finFET相比,3nmGAA的阈值电压更低,潜在的功耗降低了15%到20%。但性能提升可能低于8%,因为MOL和BEOL是相同的。

纳米片FET和finFET的不同之处。finfet是用有限数量的鳍来量化的,给设计工作带来了一些限制,而纳米片的优点是它可以有不同的宽度。根据设计师的需要,它们可以更好的来权衡性能和功耗。

IMEC的Horiguchi说,最初纳米片有四层左右,典型的纳米片宽度为12nm到16nm,厚度为5nm。

台积电副总裁蔡晋(Jin Cai)在最近的IEDM演讲中表示:“纳米片FET面临的挑战是n/p不平衡、bottom sheet effectiveness、间隔层、栅极长度控制和device coverage。”蔡还讲到3nm和以下技术的趋势,但是蔡没有表示未来哪一种架构可能占优,也没有透露台积电的具体计划。

纳米片FET的工艺制程,首先在衬底上形成超晶格结构,然后用外延工艺在衬底上沉积硅锗(SiGe)和硅的交替层。每一个堆栈至少由三层SiGe和三层硅组成。

EUV设备

先进工艺制程持续推进,EUV技术起到非常关键作用。

EUV设备由荷兰ASML公司独家生产,每台设备约为1.5亿美元左右。EUV的光波长为13.5纳米,大大小于之前的氟化氩(ArF)激光波长(193纳米),可在不采用多次曝光成像的情况下绘制更加细微的半导体电路。而且这项技术还能简化成像工艺流程,因此目前被视为唯一的突破口。

目前EUV技术主要运用在逻辑工艺制程中,台积电、三星及英特尔三家分摊60台订单。而对于存储器制造,据预测,NAND闪存不需要EUV,它通过提高堆垒层数来解决容量增大,现阶段3D NAND已达128层,有希望到200层,或者以上,对于DRAM,据预测在1x,1y及1z之后,将在15纳米左右,也要釆用EUV技术。已有报道三星于2020年底会把EUV技术纳入生产线中。

EUV光刻看似是一种工艺技术,然而它的使用涉及产业链,不仅工艺制程,尚包括设备,光刻胶,pellicle,无缺陷掩膜,缺陷测量等,因此需要时间上的积累。

到3纳米时,EUV技术除了要增大镜头的数值孔径NA,由0.33至0.55之外,同样也要加入多次曝光工艺。

据最新报道三星在2020年1月15日与ASML签订新的订单,将扩充采购20台EUV光刻机,总计花费33.8亿美元。

由于ASML的EUV设备市占率达100%,及每台价格达1.5亿美元左右,导致ASML可能超越应用材料公司,而夺得全球半导体设备销售的第一位。

EUV的应用从7纳米导入,经过5纳米,到3纳米时就需要EUV的DP(两次图形曝光技术),未来可能延伸至2纳米及以下,导致EUV的“生命周期”可能不会太长。

现阶段EUV技术尚需完善它的产业链,主要包括以下方面:

——EUV掩膜

EUV所用的掩膜和193nm浸液式光刻的掩膜完全不同,因为它是反射型光学系统。EUV的空白掩模由40到50层的硅和钼交替堆叠在衬底上构成,厚度250到350纳米。然而在叠层上沉积钌基覆盖层,紧接着再沉积钽基吸收体。

根据现有的数据,急需提高EUV掩膜的良率,因为传统的光学掩膜平均良率高达94.8%。它涉及光刻的成本问题。

Pellicle薄膜

现在光学掩膜的pellicle薄膜是透明的,但是目前的EUV pellicle薄膜材料要求是不透明的,需要超薄型的薄膜材料去制造透明的EUV薄膜。目前ASML能提供50纳米的多晶硅薄膜作为pellicle,但是性能有待提高。据传目前台积电,三星釆用暂时不带pellicle工作,导致芯片生产线中必须经常的清洗和检查掩模,十分费时。

——检测掩膜的缺陷

掩膜缺陷检测分为两类,die to die及die to database。从光学原理出发,最高分辨率在20-16纳米范围。Lasertec公司最近推出了一种能够检测20nm以下掩模缺陷的APMI(光化检测)系统。使用光化检测的优点之一是它的图像分辨率高。由于波长短得多,光化检查可提供高分辨率和高对比度的图像。目前该技术仍有待提高与完善。所以EUV的掩膜缺陷检查仍需时间的积累。

——光源功率

据媒体报道,目前的250W光源应用在7纳米甚至5纳米时都是没问题的,然而到了3纳米,对光源的功率需求将会增大到500W,到了1纳米制程时,光源功率要求可能达到1,000W,是个不易解决的问题

结语

沿着定律工艺尺寸缩小仍在持续,台积电与三星两家在竞争,2020年5纳米开始量产,3纳米的研发已取得实质性进展,预计2022及2023年有望实现量产,它的客户主要是5G +AI及HPC等,包括苹果,华为,高通,AMD,Xilinx等。未来工艺尺寸缩小的主要问题可能不是技术因素,经济上的实用性才是主要阻碍。

定律除了工艺尺寸缩小外,尚有另外两个重要方向,包括异质集成以及新的架构与材料使用。可以充分相信在未来的十年中,即便尺寸缩小走到尽头,半导体业的前景仍是十分光明,因为它能持续地满足电子工业市场的需求。

5.英特尔CEO:10nm服务器处理器将在今年四季度推出;

集微网消息(文/holly),据外媒报道,英特尔CEO Bob Swan在日前接受采访时表示:在过去的5个季度,10nm的产能在逐步提升,产能好于他们当时的预期,这对客户机和服务器产品来说都非常重要。

值得注意的是,Bob Swan在采访中透露,在10nm的产能提升之后,他们在去年的四季度就已开始生产10nm的客户机芯片,今年上半年,他们将推出5G SOC和人工智能推理芯片,四季度则是计划推出10nm的服务器处理。

两年多以来,英特尔的10nm制程虽然已经投入使用很长时间,但是一直未实现交付客户。此前Bob Swan在瑞士信贷技术会议上回应了10nm工艺难产的问题,他坦率地表示:英特尔对自己超越行业标准的能力过于自信,并因此承担了后果。

此外,外界一直传言英特尔将会跳过10nm直接采用7nm制程。英特尔对此表示:“10nm制程有很多优点,也能够延续到7nm。虽然,我们的10nm制程一直在推迟,但是实际上我们已经交付了。因此,我们相信10nm技术还有很大的优势,未来,我们还将会不断改良10nm。”(校对/Aki)

6.SIA:2019年全球半导体销售额为4,120亿美元,下降12%;

集微网消息(文/Vivian),当地时间2月3日,半导体行业协会(SIA)宣布2019年全球半导体行业销售额为4121亿美元,较2018年总额下降12.1%。

SIA称,2019年12月的全球销售额为361亿美元,与上一年同期相比下降5.5%,与上一月相比下降1.7%。2019年第四季度的销售额为1,083亿美元,较上一季度下降5.5%,但比前一季度高了0.9%。

SIA总裁兼首席执行官约翰·诺弗(John Neuffer)表示:“在持续的全球贸易动荡和产品价格周期性等因素的综合作用下,2019年全球半导体销售大幅下降,同比下降12%。但在2019年下半年,全球市场有所反弹,从第三季度到第四季度略有增长,预计到2020年将有适度的年增长率。”

“美国需要采取促进自由贸易和确保进入全球市场的开放政策,才能令半导体行业在未来的几个月内持续复苏。其中,批准美国-墨西哥-加拿大协定(USMCA)和签署‘中美第一阶段’贸易协定等都是积极的举措。”

SIA表示,从产品类别来看,按销售额计算,存储器和逻辑芯片是最大的半导体类别,其2019年的销售额总计为1064亿美元。按美元价值计算,2019年内存产品的销售额明显下滑,与上一年相比下降了32.6%。但是,内存单元的容量略有增加。

内存的具体细分类别中,DRAM产品的销售额下降了37.1%,NAND闪存产品的销售额下降了25.9%。除此之外的所有其他产品的销售额合计下降了1.7%。

就总销售额而言,包括微处理器在内的微集成电路(664亿美元)是第三大产品类别。光电产品的销售是一个亮点,2019年同比增长9.3%。

从地区来看,所有地区的年销售额均有所下降:欧洲(-7.3%),中国(-8.7%),亚太地区/其他地区(-9.0%),日本(-10.0%)和美洲(-23.8%)。

但与上一个月相比,2019年12月美洲的销售额有所增长(0.1%),其他地区中国(-1.5%),日本(-2.0%),亚太地区/所有其他国家(-2.2%),和欧洲(-4.5%)都有所下降。(校对/ Jurnan )

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